Термин « Двухбазовый диод »

Двухбазовый диод - полупроводниковый прибор, обладающий вольт-амперной характеристикой с участком отрицательного сопротивления. Конструктивно двухбазовый диод отличается от обычного полупроводникового диода плоскостного типа наличием двух выводов от базовой пластинки полупроводника. Эти выводы (Б1 и Б2) располагаются с противоположных сторон от p—n перехода и включаются в цепь вспомогательного источника тока (Еб). Проходящий вдоль пластинки ток на участке, заключенном между выводом Б1 и p-n переходом, создает внутреннее падение напряжения Uэ, которое запирает p-n переход до тех пор, пока внешнее напряжение Uб в цепи p-n перехода не превысит величину Uвн. При Uб>Uвн через переход начинает проходить прямой ток и в базу инъектируются неосновные носители. Увеличение концентрации носителей, происходящее в основном на участке p-n переход — Б1, уменьшает сопротивление этого участка, вместе с тем уменьшается внутреннее падение напряжения Uвн. При соответствующих свойствах материала базы и геометрии прибора сопротивление пластинки уменьшается быстрее увеличения тока через переход, т. е. нарастание тока Iэ сопровождается понижением напряжения Uэ, как показано на рисунке. Двухбазовый диод применяют главным образом в импульсных спусковых схемах.