Транзистор 2N3642Цоколевка транзистора 2N3642Характеристики транзистора 2N3642- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 0.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
- Корпус: TO-105
АналогиТранзистор 2N3642 можно заменить на 2N3568
|