Транзистор 2N5191GЦоколевка транзистора 2N5191GХарактеристики транзистора 2N5191G- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 25 до 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
- Корпус: TO-126
Комплементарная параКомплементарной парой для 2N5191G является транзистор 2N5194G c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2N5191G можно заменить на 2N5191, MJE225, MJE242, MJE244
|