Транзистор 2N5193GЦоколевка транзистора 2N5193GХарактеристики транзистора 2N5193G- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 25 до 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
- Корпус: TO-126
Комплементарная параКомплементарной парой для 2N5193G является транзистор 2N5190G c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2N5193G можно заменить на 2N5193, 2N5194, 2N5194G, MJE232, MJE235, MJE252, MJE254
|