Импортные биполярные транзисторы

Справочник

Транзистор 2N5430

Цоколевка транзистора 2N5430

Характеристики транзистора 2N5430

Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
Ток коллектора, не более: 7 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 60 до 240
Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
Корпус: TO-66

Смотрите также:

	Обозначение транзисторов на схеме
	Проверка транзисторов мультиметром

Импортные биполярные транзисторы

Справочник