Транзистор 2N5551CЦоколевка транзистора 2N5551CХарактеристики транзистора 2N5551C- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 180 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 0.6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 250
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-92
Комплементарная параКомплементарной парой для 2N5551C является транзистор 2N5401C c p-n-p структурой.
|