Транзистор 2N5655GЦоколевка транзистора 2N5655GХарактеристики транзистора 2N5655G- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 250 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 275 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 0.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 250
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-126
АналогиТранзистор 2N5655G можно заменить на 2N5655, 2N5656, 2N5656G, 2N5657, 2N5657G, 2SC2899, BD127, BD128, BD129
|