Импортные биполярные транзисторы

Справочник

Транзистор 2N5830

Цоколевка транзистора 2N5830

Характеристики транзистора 2N5830

Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 0.6 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 80 до 500
Корпус: TO-92

Смотрите также:

	Обозначение транзисторов на схеме
	Проверка транзисторов мультиметром

Импортные биполярные транзисторы

Справочник