Транзистор 2N5833Цоколевка транзистора 2N5833Характеристики транзистора 2N5833- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 180 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 200 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 0.6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 250
- Корпус: TO-92
|