Транзистор 2N6301

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750 до 18000
• Корпус: TO-66

Комплементарной парой для 2N6301 является транзистор 2N6299 c n-p-n структурой.