Транзистор 2N6551

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 80 до 300
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 375 МГц
• Корпус: TO-202

Комплементарной парой для 2N6551 является транзистор 2N6554 c p-n-p структурой.Транзистор 2N6551 можно заменить на 2N6552, 2N6553