Транзистор 2N6559Цоколевка транзистора 2N6559Характеристики транзистора 2N6559- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 350 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 350 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 0.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 180
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
- Корпус: TO-202
|