Транзистор 2N6675Цоколевка транзистора 2N6675Характеристики транзистора 2N6675- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 650 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
- Ток коллектора, не более: 15 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 175 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 3 до 10
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
- Корпус: TO-3
|