Транзистор 2N6717

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 2 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 50 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц
• Корпус: TO-237

Комплементарной парой для 2N6717 является транзистор 2N6729 c p-n-p структурой.Транзистор 2N6717 можно заменить на 2N6718