Транзистор 2N706BЦоколевка транзистора 2N706BХарактеристики транзистора 2N706B- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 15 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 25 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 0.05 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
- Корпус: TO-18
АналогиТранзистор 2N706B можно заменить на 2N2220, 2N706, 2N706A
|