Транзистор 2SB1109Цоколевка транзистора 2SB1109Характеристики транзистора 2SB1109- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -160 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -0.1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-126
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1109 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1109-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB1109-C - в диапазоне от 100 до 200, 2SB1109-D - в диапазоне от 160 до 320. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1109 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1109". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1109 является транзистор 2SD1609 c n-p-n структурой. АналогиТранзистор 2SB1109 можно заменить на 2SA1220A, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SB1110, HSB1109, KSA1220A, KSA1381
|