Транзистор 2SB1116

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 135 до 600
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
• Корпус: TO-92

Транзисторы серии 2SB1116 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1116L имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116K - в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116U - в диапазоне от 300 до 600, 2SB1116-L - в диапазоне от 135 до 270, 2SB1116-K - в диапазоне от 200 до 400, 2SB1116-U - в диапазоне от 300 до 600.Обозначение на корпусе транзистора 2SB1116 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "B1116".Комплементарной парой для 2SB1116 является транзистор 2SD1616 c n-p-n структурой.Транзистор 2SB1116 можно заменить на KSB1116, KSB1116S