Транзистор 2SB1625Цоколевка транзистора 2SB1625Характеристики транзистора 2SB1625- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -110 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -110 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -6 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 5000 до 30000
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-3PF
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SB1625 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB1625-O имеет коэффициент усиления в диапазоне от 5000 до 12000, 2SB1625-P - в диапазоне от 6500 до 20000, 2SB1625-Y - в диапазоне от 15000 до 30000. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SB1625 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " B1625". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SB1625 является транзистор 2SD2494 c n-p-n структурой.
|