Транзистор 2SD1313

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 350 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 800 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 25 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 15
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 6 МГц
• Корпус: TO-3P

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1313 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как "D1313".