Транзистор 2SD1380Цоколевка транзистора 2SD1380Характеристики транзистора 2SD1380- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 32 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 2 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 82 до 390
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
- Корпус: TO-126
Классификация по hFEТранзисторы серии 2SD1380 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1380-P имеет коэффициент усиления в диапазоне от 82 до 180, 2SD1380-Q - в диапазоне от 120 до 270, 2SD1380-R - в диапазоне от 180 до 390. МаркировкаОбозначение на корпусе транзистора 2SD1380 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как " D1380". Комплементарная параКомплементарной парой для 2SD1380 является транзистор 2SB1009 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2SD1380 можно заменить на BD131, BD187, BD189, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BDX35, BDX36, BDX37, MJE222, MJE225, MJE242, MJE244, MJE521, MJE521G
|