Транзистор 2STN1360Цоколевка транзистора 2STN1360Характеристики транзистора 2STN1360- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 3 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.6 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 400
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 130 МГц
- Корпус: SOT-223
Комплементарная параКомплементарной парой для 2STN1360 является транзистор 2STN2360 c p-n-p структурой. АналогиТранзистор 2STN1360 можно заменить на BDP951, BDP953, BDP955
|