Транзистор BCP55-10

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 63 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: SOT-223

Комплементарной парой для BCP55-10 является транзистор BCP52-10 c p-n-p структурой.Транзистор BCP55-10 можно заменить на BCP55, BCP56, BCP56-10, BDP951, BDP953, BDP955