Транзистор BD789

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 15 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц
• Корпус: TO-126

Комплементарной парой для BD789 является транзистор BD790 c p-n-p структурой.Транзистор BD789 можно заменить на BD791, MJE242, MJE244