Транзистор BDP956

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -140 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 3 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40 до 475
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: SOT-223

Комплементарной парой для BDP956 является транзистор BDP955 c n-p-n структурой.