Транзистор BDT31BЦоколевка транзистора BDT31BХарактеристики транзистора BDT31B- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 3 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 до 50
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: TO-220
Комплементарная параКомплементарной парой для BDT31B является транзистор BDT32B c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BDT31B можно заменить на 2N6497, 2N6498, 2N6499, 2SC3795, 2SC3795A, 2SC3866, 2SC4242, 2SC5241, BDT31C, FJP13007, KSE13004, KSE13005, KSE13006, KSE13007, KSE13007F, MJE13006, MJE13007, MJE13007A, MJE13007G, MJE13070, MJE13071, MJE16002, MJE16004, MJE8502, MJE8503, STD13007F, TIP31D, TIP31E, TIP31F
|