Транзистор BDT32

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 10 до 50
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT32 является транзистор BDT31 c n-p-n структурой.Транзистор BDT32 можно заменить на BDT32A, BDT32B, BDT32C, D44C10, D45C10, MJF32C, MJF32CG, TIP32B, TIP32BG, TIP32C, TIP32CF, TIP32CG, TIP32D, TIP32E, TIP32F