Транзистор BDT63B

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT63B является транзистор BDT62B c p-n-p структурой.Транзистор BDT63B можно заменить на BDT63C, BDT65B, BDT65C, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388, MJF6388G, TIP142T