Транзистор BDT85

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 40
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT85 является транзистор BDT86 c p-n-p структурой.Транзистор BDT85 можно заменить на BD545C, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW42, BDW42G, BDW43, FJP5200, FJP5200O, FJP5200R, FJPF5200, FJPF5200O, FJPF5200R, MJF6388, MJF6388G