Транзистор BDT95

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 20 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-220

Комплементарной парой для BDT95 является транзистор BDT96 c p-n-p структурой.Транзистор BDT95 можно заменить на BDT95F