Транзистор BDV64B

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000
• Корпус: TO-247

Комплементарной парой для BDV64B является транзистор BDV65B c n-p-n структурой.Транзистор BDV64B можно заменить на BDV64BG, TIP147, TIP147G