Транзистор BDW52B

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 125 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 750 до 150
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для BDW52B является транзистор BDW51B c n-p-n структурой.Транзистор BDW52B можно заменить на 2N6286, 2N6286G, 2N6287, 2N6287G, 2SA1041, 2SA1043, 2SA907, 2SA908, 2SA909, 2SB722, 2SB723, 2SB723-C, BDW52C, MJ11017, MJ11019, MJ11021, MJ11021G, MJ15002, MJ15002G, MJ15004, MJ15004G