Транзистор BDX33DЦоколевка транзистора BDX33DХарактеристики транзистора BDX33D- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
- Корпус: TO-220
Комплементарная параКомплементарной парой для BDX33D является транзистор BDX34D c p-n-p структурой. АналогиТранзистор BDX33D можно заменить на BDT63C, BDT65C, BDW43
|