Транзистор MJ10000Цоколевка транзистора MJ10000Характеристики транзистора MJ10000- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 350 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 450 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
- Ток коллектора, не более: 20 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 175 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 до 600
- Корпус: TO-3
АналогиТранзистор MJ10000 можно заменить на MJ10001
|