Транзистор MJ11032G

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 50 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 1000 до 18000
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ11032G является транзистор MJ11033G c p-n-p структурой.Транзистор MJ11032G можно заменить на MJ11032