Транзистор MJ11033Цоколевка транзистора MJ11033Характеристики транзистора MJ11033- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -50 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 18000
- Корпус: TO-3
Комплементарная параКомплементарной парой для MJ11033 является транзистор MJ11032 c n-p-n структурой. АналогиТранзистор MJ11033 можно заменить на MJ11033G
|