Транзистор MJ12005Цоколевка транзистора MJ12005Характеристики транзистора MJ12005- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 750 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
- Ток коллектора, не более: 8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 12
- Корпус: TO-3
|