Транзистор MJ14003G

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -60 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 300 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 15 до 100
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ14003G является транзистор MJ14002G c n-p-n структурой.Транзистор MJ14003G можно заменить на MJ14003