Транзистор MJ15016G

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 180 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 20 до 70
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
• Корпус: TO-3

Комплементарной парой для MJ15016G является транзистор MJ15015G c n-p-n структурой.Транзистор MJ15016G можно заменить на MJ15016