Транзистор MJ8505Цоколевка транзистора MJ8505Характеристики транзистора MJ8505- Структура - n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 1400 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V
- Ток коллектора, не более: 10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 175 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8
- Корпус: TO-3
|