Транзистор MJD210

• Структура - p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -8 V
• Ток коллектора, не более: -5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 45 до 180
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 65 МГц
• Корпус: TO-252

Комплементарной парой для MJD210 является транзистор MJD200 c n-p-n структурой.Транзистор MJD210 можно заменить на MJD210G