Транзистор MJD2955GЦоколевка транзистора MJD2955GХарактеристики транзистора MJD2955G- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -70 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
- Корпус: TO-252
Комплементарная параКомплементарной парой для MJD2955G является транзистор MJD3055G c n-p-n структурой. АналогиТранзистор MJD2955G можно заменить на MJD2955, MJD2955T4, MJD2955T4G
|