Транзистор MJE5850GЦоколевка транзистора MJE5850GХарактеристики транзистора MJE5850G- Структура - p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -350 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15
- Корпус: TO-220
АналогиТранзистор MJE5850G можно заменить на MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G
|