Транзистор TIP33B

• Структура - n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (h_fe): от 20 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-247

Комплементарной парой для TIP33B является транзистор TIP34B c p-n-p структурой.Транзистор TIP33B можно заменить на TIP33C