Транзистор IRF6603
Цоколевка транзистора IRF6603Характеристики транзистора IRF6603- Корпус - DIRECTFET MT
- Напряжение пробоя сток-исток 30 В
- Максимальное напряжение затвора 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии 3.4 мОм
- Заряд затвора 86.0 нКл
- Термосопротивление 3 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 42 Вт
|