Транзистор IRF6604
Цоколевка транзистора IRF6604Характеристики транзистора IRF6604- Корпус - DIRECTFET MQ
- Напряжение пробоя сток-исток 30 В
- Максимальное напряжение затвора 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии 11.5 мОм
- Заряд затвора 20.0 нКл
- Термосопротивление 3.0 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 42 Вт
|