Транзистор IRF6607
Цоколевка транзистора IRF6607Характеристики транзистора IRF6607- Корпус - DIRECTFET MT
- Напряжение пробоя сток-исток 30 В
- Максимальное напряжение затвора 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии 3.3 мОм
- Заряд затвора 50.0 нКл
- Термосопротивление 3.0 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 42 Вт
|