Транзистор IRF6608
Цоколевка транзистора IRF6608Характеристики транзистора IRF6608- Корпус - DIRECTFET ST
- Напряжение пробоя сток-исток 30 В
- Максимальное напряжение затвора 12 В
- Сопротивление в открытом состоянии 9.0 мОм
- Заряд затвора 15.0 нКл
- Термосопротивление 3.0 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 42 Вт
|