Транзистор IRF6662
Цоколевка транзистора IRF6662Характеристики транзистора IRF6662- Корпус - DIRECTFET MZ
- Напряжение пробоя сток-исток 100 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 22.0 мОм
- Заряд затвора 22.0 нКл
- Термосопротивление 1.4 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 89 Вт
|