Транзистор IRF6668
Цоколевка транзистора IRF6668Характеристики транзистора IRF6668- Корпус - DIRECTFET MZ
- Напряжение пробоя сток-исток 80 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 15.0 мОм
- Ток стока 55 А
- Заряд затвора 22.0 нКл
- Термосопротивление 1.4 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 89 Вт
|