Транзистор IRF6712S
Цоколевка транзистора IRF6712SХарактеристики транзистора IRF6712S- Корпус - DIRECTFET SQ
- Напряжение пробоя сток-исток 25 В
- Максимальное напряжение затвора 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии 4.9 мОм
- Заряд затвора 13.0 нКл
- Термосопротивление 3.5 К/Вт
- Рассеиваемая мощность 36 Вт
|